型号:MVA25VE332MM22TR | 类别:电容器 | 制造商:United Chemi-Con |
封装:径向,Can - SMD | 描述:CAP ALUM 3300UF 25V 20% SMD |
详细参数
类别 | 电容器 |
---|---|
描述 | CAP ALUM 3300UF 25V 20% SMD |
系列 | MVA |
制造商 | United Chemi-Con |
电容 | 3300µF |
额定电压 | 25V |
容差 | ±20% |
寿命0a0温度 | 85°C 时为 2000 小时 |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
特点 | 通用 |
纹波电流 | 1.8A |
ESR111等效串联电阻222 | 151 毫欧 |
阻抗 | - |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 径向,Can - SMD |
尺寸/尺寸 | 0.709" 直径(18.00mm) |
高度_座高111最大222 | 0.846"(21.50mm) |
引线间隔 | - |
表面贴装占地面积 | 0.748" L x 0.748" W(19.00mm x 19.00mm) |
包装 | 托盘 |
供应商
深圳市同亨电子有限公司 | 洪小姐,微信18922857317【0755-23816885】/【18922857317】 |
GERMANY XIANZHOU GROUP CO., LTD | 刘先生13910052844(微信同步) |
MVA25VE332MM22TR相关型号
- MT29F64G08AKCBBH2-12IT:B
存储器
Micron Technology Inc
100-TBGA
IC FLASH NAND 64GB 100TBGA
- HF365/64SF
扁平带
3M
CABLE 64COND RIBBON LT GRY 100FT
- MX25L3206EM2I-12G
存储器
Macronix
8-SOIC(0.209",5.30mm 宽)
IC FLASH SER 3V 32MB 86MHZ 8SOP
- OMI-SS-112D,300
功率,高于 2 安
TE Connectivity
3-SIP
RELAY GEN PURPOSE SPDT 10A 12V
- MVA16VE222ML17TR
电容器
United Chemi-Con
径向,Can - SMD
CAP ALUM 2200UF 16V 20% SMD
- MCR18EZHF2051
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
1206(3216 公制)
RES 2.05K OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- MT5HTF6472KY-53EA2
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
244-DIMM
MODULE DDR2 512MB 244-DIMM
- MCR03EZPJ274
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
0603(1608 公制)
RES 270K OHM 1/10W 5% 0603 SMD
- MT29F64G08AMCBBH2-12:B
存储器
Micron Technology Inc
100-TBGA
IC FLASH NAND 64GB 100TBGA
- HF365/64SF
扁平带
3M
CABLE 64COND RIBBON LT GRY 25FT
- MX25L3206EZNI-12G
存储器
Macronix
8-WDFN 裸露焊盘
IC FLASH SER 3V 32MB 86MHZ 8WSON
- OMI-SS-205LM,500
功率,高于 2 安
TE Connectivity
3-SIP
RELAY GENERAL PURPOSE DPST 5A 5V
- MVA25VC151MH10TP
电容器
United Chemi-Con
径向,Can - SMD
CAP ALUM 150UF 25V 20% SMD
- MT5VDDT1672HG-265F3
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
200-SODIMM
MODULE DDR2 128MB 200SODIMM
- MCR18EZHF2052
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
1206(3216 公制)
RES 20.5K OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- MCR03EZPJ2R2
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
0603(1608 公制)
RES 2.2 OHM 1/10W 5% 0603 SMD
- MT29F64G08CECCBH1-12:C
存储器
Micron Technology Inc
100-VBGA
IC FLASH NAND 64GB 100VBGA
- HF50ACB201209-T
铁氧体磁珠和芯片
TDK Corporation
0805(2012 公制)
FERRITE CHIP 11 OHM 600MA 0805
- MX25L4006EPI-12G
存储器
Macronix
8-DIP(0.300",7.62mm)
IC FLASH SER 3V 4MB 86MHZ 8PDIP
- OMI-SS-248L,500
功率,高于 2 安
TE Connectivity
3-SIP
RELAY GEN PURPOSE DPDT 5A 48V
- MT5VDDT1672HG-26AC3
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
200-SODIMM
MODULE SDRAM DDR 128MB 200SODIMM
- MCR18EZHF2053
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
1206(3216 公制)
RES 205K OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- MCR03EZPJ2R4
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
0603(1608 公制)
RES 2.4 OHM 1/10W 5% 0603 SMD
- MT29F64G08CFACAWP:C TR
存储器
Micron Technology Inc
48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
IC FLASH NAND 64GB 48TSOP
- MX25L512EMI-10G
存储器
Macronix
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IC FLASH SER 3V 512KB 8SOP
- HF50ACB321611-T
铁氧体磁珠和芯片
TDK Corporation
1206(3216 公制)
FERRITE CHIP 31 OHM 500MA 1206
- OMNI1500XLNAFTA
UPS系统
Tripp Lite
3-SIP
UPS 1500VA 940W 8OUT TOWER
- MVA35VE102ML17TR
电容器
United Chemi-Con
径向,Can - SMD
CAP ALUM 1000UF 35V 20% SMD
- MT5VDDT1672HY-335F3
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
200-SODIMM
MODULE DDR 128MB 200-SODIMM
- MCR18EZHF20R5
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
1206(3216 公制)
RES 20.5 OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- MCR03EZPJ304
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
0603(1608 公制)
RES 300K OHM 1/10W 5% 0603 SMD
- MT29F8G08ABABAWP:B
存储器
Micron Technology Inc
48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
IC FLASH NAND 8GB 48TSOP
- HF50ACB321611-T
铁氧体磁珠和芯片
TDK Corporation
1206(3216 公制)
FERRITE CHIP 31 OHM 500MA 1206
- MX25L6406EMI-12G
存储器
Macronix
16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
IC FLASH SER 64MB 86MHZ 16SOP
- MVA50VC10RME55TP
电容器
United Chemi-Con
径向,Can - SMD
CAP ALUM 10UF 50V 20% SMD
- OMNI242
RF 天线
RFM
3-SIP
ANTENNA 2.4GHZ 2DBI OMNI TNC
- MT5VDDT3272AY-335F1
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
184-DIMM
MODULE DDR 256MB 184-DIMM
- MCR18EZHF2100
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
1206(3216 公制)
RES 210 OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- MT29F8G08ABABAWP:B TR
存储器
Micron Technology Inc
48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
IC FLASH NAND 8GB 48TSOP
- MCR03EZPJ334
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
0603(1608 公制)
RES 330K OHM 1/10W 5% 0603 SMD